Mass Flow Module
Atomic layer deposition (ALD)是一種連續使用氣相化學製程的薄膜沉積技術。 ALD 被認為是化學氣相沉積的一個子類。大多數 ALD 反應使用兩種化學物質，通常稱為前驅物。這些前驅物以連續的方式與材料表面一次發生一個反應。透過反覆暴露於單獨的前體，薄膜慢慢沉積。 ALD 是半導體裝置製造的關鍵工藝，也是可用於合成奈米材料的工具集的一部分。 等離子體增強 ALD 是一種使用等離子體增強原子層沉積 (ALD) 工藝，形成薄膜塗層的技術。與標準 ALD 一樣，PEALD 與特定的化學前體發生反應，但也會循環射頻等離子體，以便更好地控制過程中的化學反應。這使得生產具有高水準的共形性。它還需要比標準 ALD 低得多的溫度，使其適用於溫度敏感材料。
Software Information
Open Source Software
EtherCAT Communication
如您有任何疑問，请在此留下詳細需求或問題，我們將竭誠您服務。
