显示技术

This application note demonstrates the use of pulsed RF GD-OES for nanometric depth profiling of (Al,Ga)N quantum wells and quantum dots. The technique supports process optimization and quality control of layer thickness and composition in advanced UV optoelectronic structures.

Emerging display technologies demand high brightness, low power consumption and longer lifetime. Arrays, of self-emitting, micron-sized LEDs or Micro-LED (µLED), are considered a strong contender to replace current OLED or LCD displays.

荧光粉在获得白光方面起着关键作用，特别是对于蓝色LED+荧光粉和近紫外LED+荧光粉。为了提高高亮度白光LED的荧光性能，必须使整个荧光粉颗粒均匀发荧光。当使用CL测量用作白色LED的荧光粉时，可以观察到荧光粉颗粒中不发荧光的区域。CL系统用于评估非荧光区域，以提高荧光效率和特性。

相位调制椭偏仪是一款表征TFT-LCD器件的高精度技术。不仅可以获得薄膜厚度、光学特性，还可以获得更复杂的特性，如梯度、各向异性及掺杂剂的影响。在平板行业中，降低制造成本，需要依赖可靠的测量工具控制工艺的不同阶段。椭偏仪作为一款无损高精度测试技术，非常适用于质控和在线生产监测。

拉曼光谱是一种确定硅锗层和硅帽层中的锗馏分和应变非常合适的技术。此外，在同一台仪器上使用紫外和可见光激发的可能性对于研究由硅盖层在硅锗层上构成的结构是至关重要的。恒定的Si1-xGex层中的相对锗含量是从可见拉曼光谱中计算出来的，而硅帽层的应变则是从紫外拉曼光谱中得出的。

液晶调制椭圆偏振光谱是高精度表征化合物半导体AlGaN/GaN异质结构的优选技术。利用MM-16型椭偏仪可以测得几微米的薄膜厚度和光学常数。AlGaN的光学参数对于光电器件设计至关重要。此外光学参数可以建立标准曲线，快速测定AlGaN中Al的含量。椭偏仪同样适用于SiGe、II-VI或经典III-V族等其它化合物半导体。

对于多层结构，了解每层膜的性质非常必要。HORIBA UVISEL椭偏仪采用简单的流程来研究完整PDP结构的厚度和光学性质。为了提高产品的质量和数量，HORIBA FF-1000椭偏仪可以实现产线上大面积平板的高通量测定。样品可接受尺寸达1000mm x 1000 mm。这种高精度自动化薄膜计量工具为在线生产质控提供了可靠性。

配有积分球附件的Fluorolog-QM荧光光谱仪是近红外PLQY测量的极佳选择。量子产率测试专用小球操作方便，可直接耦合到样品仓，且允许使用外部光源，如DPSS激光器，外接光源可以连接到样品仓前端。该球可选配液体，粉末和薄膜样品支架，且易于更换。结果表明，该系统近红外PLQY测量具有非常好的重现性和精度，可跨越几乎两个数量级。基于多次测量，证明的PLQY标准偏差范围从高QY值(77%)的1.3%到低QY值（6.4%）的低于1%。

椭圆偏振光谱是一种无损光学薄膜测量工具，用于测定膜层厚度和光学常数（n，k）。该技术广泛应用与微电子、平板显示、光电子、光伏、照明、光学及功能材料、生物技术等领域。与其它光学计量设备相比，椭偏仪的独特优势在于其操作简单，测试精度高，通过光学常数表征获得物理和材料信息。

全新一代Fluorolog-QM荧光光谱仪，由于其模块化、先进的软件和通用接口，是研究上转换发光的理想选择。本应用说明举例证明了Fluorolog-QM-75-21用于上转换材料光谱和时间分辨表征时的优良性能。

椭圆偏振光谱法是一种高精度表征完整OLED的优异技术。它可以测定薄膜厚度、光学特性和掺杂对活性层的影响。HORIBA FF-1000椭偏仪可以实现产线上大面积平板的高通量测定。样品可接受尺寸达1000mm x 1000 mm。这种高精度自动化薄膜计量工具为在线生产质控提供了可靠性。

利用高光谱阴极荧光光谱和成像技术对合成的CVD金刚石材料进行了表征，为新兴的固态量子力学系统提供了检测和准确定位潜在的NV荧光点缺陷的方法。在这项工作中，我们以金刚石为衬底蚀刻的微柱图案上进行CVD外延生长。阴极荧光（CL）分析显示NV色心成功地定位在柱的边缘。

在互补式金属氧化物半导体（CMOS）中，正在研究用高K介质材料替代传统的SiO2或SiOxNy栅极介电层。本文对铪铝氧化物（HfAlO）进行了研究，其物理性能满足此类应用的需求。铝酸铪薄膜的结构和组成以及HfAlO/Si界面对CMOS器件的优化具有非常重要的作用。文中采用两VUV椭圆偏振光谱和红外光谱（FTIR-ATR）共同表征薄膜的厚度、带隙附近及以上光学的特性。

相较于LCD技术，OLED的优势在于宽视角、响应时间、功耗低、颜色饱和度更高，也可以更快地制造。然而OLED器件暴露在空气和水中会退化，需要在环境中密封。传统保护OLED的方法是在一个充满惰性气氛和干燥剂的金属或玻璃盖。 椭偏仪是测量多层膜厚度和光学常数（n，k）的一种标准光学表征技术，已成功的表征封装OLED器件。 本文还研究了OLED的老化过程，对三个有机发光二极管进行了表征。研究了α-NPD薄膜1个月的老化过程，发现薄膜的折射率显著降低，说明材料的密度在降低。

在蓝宝石衬底上生长的GaN晶体极易出现线位错。据说这是由蓝宝石和GaN的大晶格错配引起的。在SEM图像中，晶体看上去是均一的。但在测量与带边沿发射相对应的波长（362nm）处的CL光强成像时，可以观察到暗斑，如线位错。

TFT-LCD显示面板基于非晶硅和低温多晶硅技术，因而椭圆偏振光谱可以高精度的表征TFT-LCD显示面板。UVISEL椭偏仪的灵敏度和DeltaPsi 2软件中所含的先进建模功能，可实现多层堆叠中不同方法制备的a-Si的表征。此外，椭偏仪还可以获得多晶硅薄膜中晶粒的尺寸，准确表征硅的结晶度。

相较于LCD技术，OLED技术具有效率高、显示质量高、对比度高、能耗低等优点，在显示技术中发挥着重要作用。此外，OLED使用的是有机可回收材料，生态方面友好。然而要想提高器件的性能，还需要对其光学和结构特性有深入的了解。椭圆偏振光谱可以提供这些信息，它无损、灵敏度高，可以表征埃级厚的膜层，并提供有关表面状态的信息以及复合材料的微观结构等。

发光二极管（LED）具有耗电量少、寿命长、色彩丰富、耐震动、易控等特点。1990年代以来，半导体照明技术不断突破，应用领域日益扩展。LED的电光转化效率取决于LED薄膜的结构和整体材料性能。椭圆偏振光谱可以准确测定LED器件的厚度和光学常数。用于研究和工业应用。厚度和折射率的准确控制对弈器件性能的优化和工业质量的控制至关重要。

This application note demonstrates the use of pulsed RF GD-OES for nanometric depth profiling of (Al,Ga)N quantum wells and quantum dots. The technique supports process optimization and quality control of layer thickness and composition in advanced UV optoelectronic structures.

Emerging display technologies demand high brightness, low power consumption and longer lifetime. Arrays, of self-emitting, micron-sized LEDs or Micro-LED (µLED), are considered a strong contender to replace current OLED or LCD displays.

荧光粉在获得白光方面起着关键作用，特别是对于蓝色LED+荧光粉和近紫外LED+荧光粉。为了提高高亮度白光LED的荧光性能，必须使整个荧光粉颗粒均匀发荧光。当使用CL测量用作白色LED的荧光粉时，可以观察到荧光粉颗粒中不发荧光的区域。CL系统用于评估非荧光区域，以提高荧光效率和特性。

相位调制椭偏仪是一款表征TFT-LCD器件的高精度技术。不仅可以获得薄膜厚度、光学特性，还可以获得更复杂的特性，如梯度、各向异性及掺杂剂的影响。在平板行业中，降低制造成本，需要依赖可靠的测量工具控制工艺的不同阶段。椭偏仪作为一款无损高精度测试技术，非常适用于质控和在线生产监测。

拉曼光谱是一种确定硅锗层和硅帽层中的锗馏分和应变非常合适的技术。此外，在同一台仪器上使用紫外和可见光激发的可能性对于研究由硅盖层在硅锗层上构成的结构是至关重要的。恒定的Si1-xGex层中的相对锗含量是从可见拉曼光谱中计算出来的，而硅帽层的应变则是从紫外拉曼光谱中得出的。

液晶调制椭圆偏振光谱是高精度表征化合物半导体AlGaN/GaN异质结构的优选技术。利用MM-16型椭偏仪可以测得几微米的薄膜厚度和光学常数。AlGaN的光学参数对于光电器件设计至关重要。此外光学参数可以建立标准曲线，快速测定AlGaN中Al的含量。椭偏仪同样适用于SiGe、II-VI或经典III-V族等其它化合物半导体。

对于多层结构，了解每层膜的性质非常必要。HORIBA UVISEL椭偏仪采用简单的流程来研究完整PDP结构的厚度和光学性质。为了提高产品的质量和数量，HORIBA FF-1000椭偏仪可以实现产线上大面积平板的高通量测定。样品可接受尺寸达1000mm x 1000 mm。这种高精度自动化薄膜计量工具为在线生产质控提供了可靠性。

配有积分球附件的Fluorolog-QM荧光光谱仪是近红外PLQY测量的极佳选择。量子产率测试专用小球操作方便，可直接耦合到样品仓，且允许使用外部光源，如DPSS激光器，外接光源可以连接到样品仓前端。该球可选配液体，粉末和薄膜样品支架，且易于更换。结果表明，该系统近红外PLQY测量具有非常好的重现性和精度，可跨越几乎两个数量级。基于多次测量，证明的PLQY标准偏差范围从高QY值(77%)的1.3%到低QY值（6.4%）的低于1%。

椭圆偏振光谱是一种无损光学薄膜测量工具，用于测定膜层厚度和光学常数（n，k）。该技术广泛应用与微电子、平板显示、光电子、光伏、照明、光学及功能材料、生物技术等领域。与其它光学计量设备相比，椭偏仪的独特优势在于其操作简单，测试精度高，通过光学常数表征获得物理和材料信息。

全新一代Fluorolog-QM荧光光谱仪，由于其模块化、先进的软件和通用接口，是研究上转换发光的理想选择。本应用说明举例证明了Fluorolog-QM-75-21用于上转换材料光谱和时间分辨表征时的优良性能。

椭圆偏振光谱法是一种高精度表征完整OLED的优异技术。它可以测定薄膜厚度、光学特性和掺杂对活性层的影响。HORIBA FF-1000椭偏仪可以实现产线上大面积平板的高通量测定。样品可接受尺寸达1000mm x 1000 mm。这种高精度自动化薄膜计量工具为在线生产质控提供了可靠性。

利用高光谱阴极荧光光谱和成像技术对合成的CVD金刚石材料进行了表征，为新兴的固态量子力学系统提供了检测和准确定位潜在的NV荧光点缺陷的方法。在这项工作中，我们以金刚石为衬底蚀刻的微柱图案上进行CVD外延生长。阴极荧光（CL）分析显示NV色心成功地定位在柱的边缘。

在互补式金属氧化物半导体（CMOS）中，正在研究用高K介质材料替代传统的SiO2或SiOxNy栅极介电层。本文对铪铝氧化物（HfAlO）进行了研究，其物理性能满足此类应用的需求。铝酸铪薄膜的结构和组成以及HfAlO/Si界面对CMOS器件的优化具有非常重要的作用。文中采用两VUV椭圆偏振光谱和红外光谱（FTIR-ATR）共同表征薄膜的厚度、带隙附近及以上光学的特性。

相较于LCD技术，OLED的优势在于宽视角、响应时间、功耗低、颜色饱和度更高，也可以更快地制造。然而OLED器件暴露在空气和水中会退化，需要在环境中密封。传统保护OLED的方法是在一个充满惰性气氛和干燥剂的金属或玻璃盖。 椭偏仪是测量多层膜厚度和光学常数（n，k）的一种标准光学表征技术，已成功的表征封装OLED器件。 本文还研究了OLED的老化过程，对三个有机发光二极管进行了表征。研究了α-NPD薄膜1个月的老化过程，发现薄膜的折射率显著降低，说明材料的密度在降低。

在蓝宝石衬底上生长的GaN晶体极易出现线位错。据说这是由蓝宝石和GaN的大晶格错配引起的。在SEM图像中，晶体看上去是均一的。但在测量与带边沿发射相对应的波长（362nm）处的CL光强成像时，可以观察到暗斑，如线位错。

TFT-LCD显示面板基于非晶硅和低温多晶硅技术，因而椭圆偏振光谱可以高精度的表征TFT-LCD显示面板。UVISEL椭偏仪的灵敏度和DeltaPsi 2软件中所含的先进建模功能，可实现多层堆叠中不同方法制备的a-Si的表征。此外，椭偏仪还可以获得多晶硅薄膜中晶粒的尺寸，准确表征硅的结晶度。

相较于LCD技术，OLED技术具有效率高、显示质量高、对比度高、能耗低等优点，在显示技术中发挥着重要作用。此外，OLED使用的是有机可回收材料，生态方面友好。然而要想提高器件的性能，还需要对其光学和结构特性有深入的了解。椭圆偏振光谱可以提供这些信息，它无损、灵敏度高，可以表征埃级厚的膜层，并提供有关表面状态的信息以及复合材料的微观结构等。

发光二极管（LED）具有耗电量少、寿命长、色彩丰富、耐震动、易控等特点。1990年代以来，半导体照明技术不断突破，应用领域日益扩展。LED的电光转化效率取决于LED薄膜的结构和整体材料性能。椭圆偏振光谱可以准确测定LED器件的厚度和光学常数。用于研究和工业应用。厚度和折射率的准确控制对弈器件性能的优化和工业质量的控制至关重要。