半导体制程

Raman spectroscopy is an essential tool for the characterization of semiconductors. However, Raman spectroscopy's spatial resolution is limited by the diffraction limit to about 200-300 nanometers, which can be insufficient for analyzing the increasingly smaller features of modern electronic devices.

Raman spectroscopy enables precise, non-destructive stress analysis in 4H-SiC semiconductors. This study shows how peak shifts in Raman spectra reveal stress variations from surface treatments like cutting, lapping, and CMP—supporting quality control and process optimization in electronics.

硅片中氧的浓度对硅片的电阻有很大影响。因此，即使硅片中仅含有极少量的氧，对其浓度的控制也是至关重要的。然而，在分析高掺杂单晶硅时出现了一个挑战，由于其独特的性质和高掺杂水平，分析这些样品中的氧变得非常困难，杂质和掺杂剂的存在会干扰使用 FT-IR 光谱法对氧浓度的精确测量。

多晶硅作为硅片的重要原材料，其内部的碳含量直接影响硅片的导电性能。随着高纯度硅片的广泛应用，准确了解多晶硅原材料中的碳含量并对其进行精确控制至关重要。然而，研究人员面临的挑战在于，碳在这些材料中可能以多种形态存在，如以碳酸盐形式或以 CO2 形式附着，这种复杂性使得在极低浓度下分析碳含量并区分其具体存在形式变得异常困难。

目前的半导体工艺需要原子尺度的工程。虽然气体可以通过质量流量控制器 (MFC) 精确控制，但有必要澄清汽化液体或固体前驱体的现象。前驱体递送不稳定会引起工艺变化，影响制造成品率。

微光束和厚度测量能力的结合使 XGT-9000成为了以精细为特征的半导体行业质量控制的强有力工具，虽然厚度检测的灵敏度基于示踪元素，但完全可达到埃级别。

MOCVD工艺是一种公认的可控合成方法，它使用了多种MO源，如三甲基铟(TMI)和二乙基锌(DEZ)，需要一种稳健的传递方法，以确保沉积过程的重复性和高收率。