蚀刻

为减少腔室间的差异并优化蚀刻设备的良率，HORIBA 提供多种流体控制系统和智能传感器，用于终点检测和腔室状态监测。这些系统结构紧凑、坚固耐用，适用于研发与生产环节。

蚀刻在微细制造中用于在制造过程中化学去除晶圆片表面的层。蚀刻是一个非常重要的工艺模块，每个晶圆在完成之前都要经过许多蚀刻步骤。

在许多蚀刻步骤中，晶圆片的一部分被一种抗蚀刻的“掩蔽”材料保护起来不受蚀刻剂的影响。在某些情况下，掩蔽材料是用光刻法制成的光刻胶。其他情况需要更耐用的掩膜，如氮化硅。

干蚀刻是指通过将材料暴露于离子轰击(通常是活性气体的等离子体，如氟碳化合物、氧、氯、三氯化硼;有时加入氮气、氩气、氦气和其他气体)，将部分物质从暴露的表面移走。一种常见的干蚀刻是反应离子蚀刻。与湿蚀刻中使用的许多湿化学腐蚀剂(但不是所有的，参见各向同性蚀刻)不同，干蚀刻过程通常是定向或各向异性蚀刻。