Semiconductor Page Heading

干蚀刻

干蚀刻是指通过将材料暴露于离子轰击(通常是活性气体的等离子体,如氟碳化合物、氧、氯、三氯化硼;有时加入氮气、氩气、氦气和其他气体),将部分物质从暴露的表面移走。一种常见的干蚀刻是反应离子蚀刻。与湿蚀刻中使用的许多湿化学腐蚀剂(但不是所有的,参见各向同性蚀刻)不同,干蚀刻过程通常是定向或各向异性蚀刻。

相关产品

详情 DZ-100

紧凑型质量流量控制器

详情 EV-140C

光发射光谱蚀刻终点监测仪

详情 EV 2.0 系列

基于光发射光谱和 MWL 干涉测量法的工艺终点/反应腔健康监测

详情 FS-3000

热式气体分流器

详情 GR-300 系列

晶圆背面冷却系统

详情 IT-480 系列

高精度红外温度计[固定式]

详情 LEM Series

基于实时激光干涉测量的摄像头终点监测

详情 MICROPOLE 系统

紧凑型工艺气体监测仪

详情 SEC-Z700S 系列

新型压力补偿质量流量控制器

详情 SEC-Z500X

多量程/多气体数字质量流量控制器

详情 SEC-Z700X 系列

压力补偿质量流量控制器

详情 VC 系列

直接液体注入系统

详情 VG 系列

电容压力计

详情 XF-100 系列

数字式液体质量流量计

留言咨询

如您有任何疑问,请在此留下详细需求信息,我们将竭诚为您服务。

Corporate