干蚀刻是指通过将材料暴露于离子轰击(通常是活性气体的等离子体，如氟碳化合物、氧、氯、三氯化硼;有时加入氮气、氩气、氦气和其他气体)，将部分物质从暴露的表面移走。一种常见的干蚀刻是反应离子蚀刻。与湿蚀刻中使用的许多湿化学腐蚀剂(但不是所有的，参见各向同性蚀刻)不同，干蚀刻过程通常是定向或各向异性蚀刻。
压差式质量流量控制器
紧凑型质量流量控制器
光发射光谱蚀刻终点监测仪
基于光发射光谱和 MWL 干涉测量法的工艺终点/反应腔健康监测
热式气体分流器
晶圆背面冷却系统
高精度红外温度计[固定式]
基于实时激光干涉测量的摄像头终点监测
紧凑型工艺气体监测仪
新型压力补偿质量流量控制器
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直接液体注入系统
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Quadrupole Mass Analyzer
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基于光发射光谱和 MWL 干涉测量法的工艺终点/反应腔健康监测
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