*株式会社堀場製作所
等温容量過渡分光(ICTS)/深い準位過渡分光(DLTS)法は、半導体中の不純物･欠陥を高感度(1011atoms/cm3)で測定可能な手法である。特に最近は、デバイスの高集積化や効率向上にともない、不純物･欠陥の測定制御が不可欠となってきた。当社では超高感度、一定温度、かつ短時間で測定可能な半導体中不純物測定装置(DA-1500)およびウエハ状態での測定を可能にするウエハクライオスタット(DA-250)などを開発･製品化した。本稿では、ICTS/DLTSの測定原理の概要、DA-1500のシステム構成について述べ、さらにGaAsの表面処理条件といったICTS法により明らかとなった応用例などを紹介する。最後にICTS法の今後の展開についても言及する。