Measurement and monitoring of processing plasmas
九州大学 プラズマナノ界面工学センター センター長
九州大学 大学院システム情報科学研究院
研究院長・教授 工学博士
プラズマプロセスにおいて重要な内部パラメーターであるラジカル密度とナノ粒子のサイズ・数密度計測に重点をおいて，計測・モニタリングについて記述する。ラジカル計測により主要成膜前駆体の密度やその表面反応確率など，プロセスの理解に有用な情報が得られる。ただし，用いた手法をそのまま生産現場に適用することは現状では難しい。一方，ナノ粒子のサイズと数密度に関しては，簡便な方法で空間分計測が可能である。プラズマプロセスの高精度制御のために，新しいモニタリング手法の開発と実装が強く求められる。
This article describes measurements and monitoring of density of radicals and size and density of nanoparticles, whichare important internal parameters in plasma processes. The radical measurements give valuable information on density ofpredominant deposition precursors and their surface reaction probability. It is difficult to apply the measurement methodsto production lines. On the other hand, a simple measurement method is available for the spatial profiles of size anddensity of nanoparticles. Development and applications of novel monitoring methods are needed to realize control ofplasma processes.
