The Current Status and Technical Issues, and Future Prospect for Extreme Ultraviolet Lithography
兵庫県立大学高度産業科学技術研究所 所長
極端紫外線リソグラフィー研究開発センター長
教授 理学博士
極端紫外線リソグラフィー（EUVL）技術は16 nmの回路の線幅を有する半導体量産技術として2019年に使われることになっている。この技術開発の現状，課題，今後の展望について紹介する。現在，EUVL技術の量産技術としての課題は，EUV光源開発，EUVレジスト開発，EUVマスク開発である。これらの技術について紹介するとともに，将来どのように微細加工が進展して行くのかを詳説する。
Extreme ultraviolet lithography (EUVL) technology is to be used in 2019 as semiconductor mass production technologywith line width of 16 nm circuit. I will introduce the current state, issues and future prospects of this technologydevelopment. Today, EUVL technical issues as for the mass production technology are EUVL light source development,EUV resist development, EUV mask development. We will introduce these technologies and discuss in detail hownanofabrication progresses in the future.
