*株式会社堀場製作所
シリコンウエハにレーザ光を照射し発生した光電流の二次元分布からウエハ内の欠陥分布を観察した。ウエハ面内に中心から同心円上の模様は、シリコン融液からシリコンインゴットとして単結晶引き上げを行う際に発生するストリエーション欠陥であることがわかった。従来法では検出が難しかった欠陥を本手法により高感度に可視化できることを示唆している。本手法は、絶縁膜堆積ウエハだけでなくAs-receivedウエハ、すなわち一切の前処理・熱処理なしでも測定できることから、シリコンウエハの結晶欠陥の非破壊モニタリングにも適用できるものと期待されている。