*株式会社堀場製作所
強誘電体材料が薄膜化され半導体デバイス（FRAM）として実用化されようとしている。薄膜の材料と製法は各種提案されているが、本研究では特にMOCVD成膜法とPZT原料に注目した。MOCVD装置に供給される鉛・チタン・ジルコンの3 種類の原料の気相状態をHORIBAのFTIRガス分析計FT-730 で計測したところ、気化・混合部ですでに中間体を形成していることを確認した。これらの結果から、MOCVD装置の原料供給系を含むFRAMの研究開発や生産プロセスにおいてFTIRが大変有用なツールとなるものと期待される。