MOCVDプロセスにおけるin-situモニタリングの重要性と今後の展望

舟窪 浩* | |   32

*東京工業大学大学院

高温超伝導物質、巨大磁気抵抗効果酸化物、強誘電体酸化物などの多成分酸化物薄膜では、更なる多成分化により優れた特性を持つ新物質の発見や改良への期待が高まっている。このデバイス作製では、特性を左右する組成再現性が重要であり、MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition:有機金属気相成長)法が注目されている。Pb(Zr,Ti)O3 (PZT)薄膜を例に、このMOCVD法の薄膜作製における反応メカニズムや組成制御のような基礎原理の確認やMOCVD工業化プロセス上の最適化条件を抽出するために、フーリエ変換赤外分光(FTIR)法が有効なツールであることを実際の測定データをもとに解説する。更にFTIRをin-situモニタとして用いることによりMOCVDプロセスのオンラインフィードバック制御機器として実装したプロセスを提案し、一部実験結果を報告する。最後に今後の展望について言及する。