表面差分反射分光と反射率差分光によるSi表面上のO₂,NO,CO反応の研究

表面差分反射分光と反射率差分光を組み合わせることにより，単原子層程度の被覆率変化や界面歪みを高精度かつ非破壊で検出できる測定装置を開発した。シリコン表面の初期酸化過程のリアルタイム計測を行い，成長モードや活性化障壁に関して新たな知見を得た。更に，排気ガスの成分である一酸化窒素や一酸化炭素等の分子との反応過程の研究を進めている。