*HORIBA Instruments Inc.
CMP技術は成長著しい分野ではあるが研磨機構の詳細は未解明である。半導体プロセスにおける問題の1つにウエハに生じる微細なキズがあるが、これはスラリ中に存在する大きな粒子が原因だとされている。CMP用スラリにはAl2O3､SiO2、SiC2、Si3N4、ダイアモンドなどの微粒子が研磨剤として使用されており、その粒径は不純物除去制御上で重要因子である。スラリの特性解析には粒径分布を単独に求めるだけでは不十分である。粒径と性能との関係、例えばエッチング速度、残留スラリ量、傷の数などを求める必要がある。これにはメーカのノウハウが絡んでおり今後の課題である。