*東海国立大学機構名古屋大学大学院
本稿では, 窒化物半導体をベースとした深紫外（DUV）レーザーダイオード（LD）の進展について, 特に室温連続発振の実現に焦点を当てて紹介する。UV-C波長領域（<280 nm）で発光するDUV LDは, 殺菌, 医療診断, 工業プロセスなど, さまざまな用途への応用が期待されている。AlGaNベースのDUV LDにおける主要なブレークスルーとして, AlN単結晶基板上の擬似格子整合AlGaN成長による結晶品質の改善や, 分布分極ドーピングを用いた電気伝導度の制御などが議論されている。さらに, プロセスに起因する結晶欠陥を抑制し, 室温連続波発振を達成した経緯についても解説する。本成果は室温での連続波発振レーザーの実現に成功したものであり, 多様な技術領域におけるDUV LDの可能性が広げるものである。
