IRLAM技術を用いた半導体エッチングプロセス向けレーザーガス分析計の開発

*株式会社堀場エステック

半導体製造プロセスでは, ドライエッチング技術を用いてnmオーダーの微細形状の加工が行われている。最先端のエッチングプロセスにおいてプロセス制御を精密に行うため, プロセスの状態をリアルタイムにセンシングする技術は重要である。HORIBAでは量子カスケードレーザー（QCL）を用いた赤外レーザー吸収変調法（IRLAM）を開発しており, 高感度で高速に測定できる特徴を生かして半導体エッチングプロセスに適用可能なガス分析計の開発を行った。本稿では分析計の構成や実際のエッチングプロセスで評価した事例について紹介する。