*国立大学法人京都大学大学院工学研究科
深紫外発光デバイスやパワーデバイス用材料として,バンドギャップの極めて大きい超ワイドバンドギャップ半導体材料に注目が集まっている。しかしながら,その評価手段である深紫外分光技術が未成熟であることが超ワイドバンドギャップ半導体光電子物性の理解・制御を阻んでいる。そこで我々は超ワイドバンドギャップ半導体光電子物性と深紫外分光技術の開拓を両輪として研究に取り組んでおり,ここでは世界最短波長で動作する近接場光学顕微鏡の開発と,超ワイドバンドギャップ半導体材料である窒化アルミニウムのp型電気伝導可能性を示した深紫外分光測定結果について述べる。
