*HORIBA Taiwan, Inc.
次世代デバイス向けのCMPプロセスの最適化には物理化学的特性，研磨レート，選択比，平坦性およびそれらに関連する要素の分析・評価など，広く総合的なアプローチが求められる。半導体技術が急激に進歩するにつれて，複雑なプロセスにおける分析の重要性が高まり，評価や最適化の両面において大きな役割を果たしている。本稿ではHORIBAの分析装置を用いたCMPプロセスに関する分析の概要を示す。まず，CMPスラリーと粒度分布の関係について述べ，多様なスラリーの粒度分布を高分解能で測定できるCN-300 Partica CENTRIFUGEを用いて測定した結果を示す。次に，スラリーの組成によって制御されるゼータ電位測定の重要性およびスラリー設計と品質管理に有用なゼータ電位とpHを同時測定できるSZ-100V2を用いた測定結果を示す。最後に研磨レートや表面状態変化を評価する手法として分光エリプソメトリーについて紹介する。これらの技術は精密でロバストなCMPプロセスの実現に貢献するものと考えている。
