EV 2.0 API Fast

高速サンプリングモデル

先端半導体プロセスの、例えば、原子層レベルでのエッチングや成膜プロセス(ALE/ALD)では、短い時間分解能での計測が求められています。また、プラズマ放電をパルスで行うプロセスにおいても、短時間での計測が有効です。
これらのニーズにお応えする、高速サンプリングモデルです。

  • ALE : Atomic Layer Etching
  • ALD : Atomic Layer Deposition
事業セグメント: 科学
製造会社: HORIBA, Ltd.
  • 最小のデータサンプリング周期1.4msecを実現
  • 幅広い測定波長範囲に対応
  • 専用の高性能FA-PCが利用可能

アプリケーション

  • 半導体プラズマプロセス用分光器
  • プラズマ診断・計測
  • Optical Emission Spectroscopy(OES)
モデルEV 2.0 STD API FastEV 2.0 HR API Fast
測定波長範囲200 - 1050 nm300 - 800 nm
焦点距離75 mm75 mm
波長分解能2.5 nm1 nm
検出器裏面入射型CCDイメージセンサ(素子数 : 2048 x 16)
センサユニット寸法105 x 135 x 135 mm105 x 135 x 135 mm
センサユニット質量850 g850 g
センサユニット電源仕様DC 24VDC 24V
データサンプリング周期最小1.4msec最小1.4msec
露光時間最小0.1msec最小0.1msec
ソフトウェアJYST(データ取得用)

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