CMPスラリー分析

コロイダルシリカのシングルnmレベルの差を検出しました。コロイダルシリカ表面のコーティング剤の有無の識別に有効です。

CMPスラリーの品質管理として、100 nm以下のOK品および数μm前後の粗大粒子（NG品）を迅速に判別できました。

CMP工程後の洗浄工程においてウェハ表面に残留する成分の分析が重要です。ゼータ電位はその評価の指標の一つとなっています。