深さ方向元素組成分析

中間層のAlGaAs成膜時のAl濃度を変化させた場合の元素分布を比較しました。 原子比において、数%以上の違いを捉えています。また、測定時間が2secと非常に短い時間で評価することができました。

GaN表面付近のAl、H、Oの量の違いがあることがわずか30秒で判明しました。 マーカス型高周波グロー放電発光表面分析装置なら、μm / min オーダのスパッタリングレートにて、試料表面から深さ方向の元素分析が可能です。