HORIBAはシリコン・化合物の半導体材料分析ソリューションを数多く提案しています。半導体材料の研究開発において、成膜・エッチングなどの条件の検討、また従来の半導体材料の品質管理をより精密かつ迅速に実施する上で貢献しています。


微細化により薄膜化が進む中、Åオーダの薄膜評価や成膜プロセス中でのIn-Situ評価など、高い成膜制御を実現するためのソリューションを提案します。


高い波数分解能・空間分解能を誇るラマン分光装置とカソードルミネッセンス(CL)による多角的応力評価ソリューションを提案します。


元素の組成比によって性能が大きく変わる化合物半導体薄膜中の深さ方向の元素分布を迅速かつ容易に見極める分析手法を紹介します。


欠陥の削減・不純物の精密な制御は、高速通信用半導体において重要性が増しており、その分析事例を紹介します。


CMPプロセスはデバイスの微細化に伴いさらなる精度と再現性が求められ、その実現のために重要なスラリー粒子の詳細分析事例を紹介します。


結晶性の高いSiCエピタキシャル膜の成膜は高性能化合物半導体には必須であり、成膜後の結晶性を非破壊かつ精密に分析する手法を紹介します。


ウェハ中の欠陥は異物によっても発生し、その原因特定のための微小部元素分析手法を紹介します。


半導体材料分析におけるソリューションをまとめたSemiconductor Navi
半導体材料分析におけるソリューションをまとめたSemiconductor Navi(PDF)のダウンロードはこちら


受託分析のご依頼やお見積り等に関しましては以下よりお気軽にご相談ください。

受託分析
見積り
お問い合わせ