カタログ・アプリケーション

半値幅やピーク位置の解析により、結晶特性やエネルギー特性分布が解析可能です。

加速電圧を変化させることで、深さ方向の発光特性を解析できます。

積層セラミックコンデンサの故障の原因となる酸素欠損の評価をしました。
一部の電極近傍では発光強度が強く、酸素欠損の偏りが発生していることが判明しました。

誘電体層の微小部を高分解能・高感度で分析が可能です。

発光、元素分布分析

同一箇所のSEM観察、発光状態、元素マッピング、欠陥評価が可能

欠陥分析

ソフトウェアの欠陥計測機能を使用し、酸化物が影響している部位の貫通転移などの欠陥密度を評価

GaN 基板の品質向上により貫通転位数が減少し、狭い範囲での観察では転位の検出が困難になりつつありますが、HORIBAのカソードルミネッセンス技術を用いることにより迅速に広範囲の観察が可能です。

高品質基板（低転位/低欠陥）の評価が簡単にできます。