分光エリプソメトリーの用途

単波長（レーザー）エリプソメトリーは半世紀以上前から、半導体業界と光学コーティングを中心に用いられてきました。約30年前からは分光エリプソメトリーに変わり始めたことで、ディスプレイ、エネルギー、新規材料、化学、金属などさまざまな分野へ広がりを見せています。

エリプソメトリーは、半導体業界においてトランジスタのゲート絶縁膜やフォトレジストの測定に用いられてきました。21世紀に入るとSiだけでなく、SiGe、Ge、化合物半導体（GaAs, GaN, SiCなど）をベースとした光・通信・パワーデバイスなどの評価にも広く使われています。

20世紀終わりから、分光エリプソメトリーはフラットパネルディスプレイ（FPD）業界で使用され始めてきました。近年では全自動、In-lineを含め、多層膜構造の膜厚や材料の光学定数、劣化、異方性などの一般的な評価手法となりました。これらの評価はガラス基板上だけでなく、フレキシブルディスプレイなどのフィルム基材上でも可能です。

エネルギー分野には、太陽電池、二次電池、パワーデバイス、照明などが含まれています。半世紀近く前では、エリプソメトリーがGaAsやSiの太陽電池評価に使われていました。近年では有機薄膜や色素増感太陽電池に加え、照明やパワーデバイス、二次電池の評価まで広がりを見せています。

近年では、新規材料、金属、化学、バイオ・ライフサイエンスの用途において、物性や光学特性評価などに用いられています。