化合物半導体ウェハ中の不純物分析


カソードルミネッセンスによるGaAsウェハ中の不純物分析

GaAsウェハをカソードルミネッセンス(CL)でスペクトル分析し、発光に寄与する準位ごとのピークを確認しました。 そのピークごとのCL像を取得した結果、カーボン、銅が点在していることを確認できました。


化合物半導体ウェハ欠陥分析


PLマッピングによる非破壊ウェハ欠陥分布分析

1台の装置でPLスペクトル、PL寿命を取得することができ、多角的な評価が可能です。


3インチInGaPウェハの全面高速欠陥分析

10000点以上のPL情報を数分で取得。ピーク波長分布をヒストグラムで表記。


GaNウェハの欠陥分類分析

CL image 1では混合(刃状と螺旋)転位を、CL image 6では刃状転位を観察。 このように、波長による強度イメージを三次元表示することで、欠陥種の評価が可能です。


定常PLスペクトルと時間分解測定による同一エリアの分析

時間分解測定なら、定常PLスペクトルでは読み取れない僅かな発光成分の違いを読み取ることができます。


微小領域 結晶欠陥分析


TEPLによる高空間分解能欠陥分析

次世代半導体材料である二次元材料の微小領域の結晶性、層数などを分析できます。


カソードルミネッセンス測定システム HORIBA CLUE series

既設の電子顕微鏡に追加可能
紫外〜近赤外波長(200 ~ 2,100 nm)の測定に対応
SEM一体型高範囲CLイメージング装置(Imaging CL)も提案可能

カソードルミネッセンス測定システム

ウェハマッピング装置 MicOS

2~12インチのウェハ状態での欠陥マッピングが可能
発光寿命マッピング機能も拡張可能

ウェハマッピング装置

AFM(原子間力顕微鏡)ラマン XploRA Nano

AFMとラマンを一体化し、nmオーダの空間分解能を実現
nmオーダでの結晶欠陥マッピングが可能

AFM(原子間力顕微鏡)ラマン

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